连接线上的图案_连接线上的图案

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...精细图案的方法专利,该方法能在半导体衬底上形成线图案和连接图案金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“用于形成精细图案的方法“,授权公告号CN110189987B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示,本发明提供一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成线图案和连接图案,该线图案...

...专利,深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度在衬底上的第一片图案;栅电极,在衬底上并且围绕第一片图案;第一源/漏图案和第二源/漏图案,分别连接到第一片图案的第一端和第二端;接触阻挡图案,在第二源/漏图案的下侧上;第一源/漏接触部,沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案;以及第二源/漏接触部,连接到第二源/漏图案并且沿...

...专利,该专利技术能实现多个上垂直图案可以分别连接到多个下垂直图案下图案组,包括在电极结构的下部中且连接到衬底的多个下垂直图案;以及上图案组,包括在电极结构的上部中的多个上垂直图案。所述多个上垂直图案可以分别连接到所述多个下垂直图案。该三维半导体存储器件还可以包括在第二方向上彼此间隔开的两个公共源极插塞。电极结构可以在...

三星申请半导体存储器件专利,提供一种半导体存储器件位线,在衬底上;单元半导体图案,在栅电极的一侧并且电连接到位线;电容器结构,包括电连接到单元半导体图案的第一电极、第一电极上的第二电极、以及在第一电极与第二电极之间的电容器介电膜;位线跨接线,在第二方向上与位线间隔开并且电连接到位线;位线选择线,在位线与位线跨接...

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...制造半导体装置的方法专利,源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫;在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺;去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫;以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。本文源自金...

三星申请包括管芯间接口的三维半导体集成电路装置专利,提供了一种...顶部管芯包括设置在顶部管芯的顶表面上的多个微单元、设置在顶部管芯的底表面上的多个微凸块以及将多个微单元连接到多个微凸块的布线图案,底部管芯包括设置在其顶表面上的多个宏单元,其中,多个宏单元分别电连接到多个微凸块,其中,设置多个微单元的区域的尺寸小于设置多个...

˙△˙ 三星申请半导体器件专利,实现单元分离图案的第二侧壁的上部与位线...包括:单元有源图案,包括彼此间隔开的第一部分和第二部分;在单元有源图案的第一部分和第二部分之间的栅极结构;在单元有源图案的第一部分上的位线接触;在单元有源图案的第二部分上的连接图案;以及与位线接触和连接图案接触的单元分离图案,其中单元分离图案包括与连接图案接触...

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三星申请半导体器件专利,可实现在相同高度处的单元下导电线和外围...一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔...

京东方A申请量子点材料及其制备方法和应用、量子点膜的图案化方法...京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“量子点材料及其制备方法和应用、量子点膜的图案化方法“,公开号CN117777995A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,一种量子点材料及其制备方法和应用、量子点膜的图案化方法,所述量子点材料包括量子点和与所述量子点连接的光...

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三星取得磁存储器件专利,线图案为磁隧道结图案提供自旋轨道矩其包括:线图案,所述线图案位于衬底上;磁隧道结图案,所述磁隧道结图案位于所述线图案上;以及上导电线,所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开,并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。本文源自金...