什么金属不易氧化_什么金属不易氧化
*** 次数:1999998 已用完,请联系开发者***
...多孔块体材料及其制备和应用专利,能够制备出金属离子掺杂的锰氧化物中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“锰基多孔块体材料及其制备和应用”,公开号CN117936763A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种锰基多孔块体材料及其制备和应用,所述锰基多孔块体材料为金属离子掺杂的锰氧化物;所述金属离子为钠离子、镁离子、...
˙0˙ 西部超导申请一种评定钛合金用中间合金内部非金属氧化夹杂物比例的...金融界2024年4月16日消息,据国家知识产权局公告,西部超导材料科技股份有限公司申请一项名为“一种评定钛合金用中间合金内部非金属氧化夹杂物比例的方法“,公开号CN117890365A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明属于钛合金原材料领域,具体涉及一种评定钛合金用...
南网科技申请异质结构金属氧化物自支撑锂离子电池负极及制备方法和...金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,南方电网电力科技股份有限公司申请一项名为“异质结构金属氧化物自支撑锂离子电池负极及制备方法和锂离子电池“,公开号CN117855385A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本申请属于锂离子电池技术领域,尤其涉及异质结构...
⊙﹏⊙ 台积电取得半导体器件专利,金属氧化物半导体器件以小于第一深度的...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“,授权公告号CN112216693B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物...
动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,北京动力源科技股份有限公司取得一项名为“一种直流开关“的专利,授权公告号CN112332823B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导...
∩▂∩
...公司生产ClearTherm催化加热器和金属固态氧化物燃料电池电堆/系统金融界3月1日消息,有投资者在互动平台向中环环保提问:你好,请问公司目前在氢能源领域都有哪些布局。公司回答表示:2023年公司投资参股美国Proof公司,Proof公司致力于研发以多样化的氢能为燃料的电动车催化加热器和金属支撑的固态氧化物燃料电池。随后,公司与Proof公司共同...
∩0∩ TCL科技申请金属氧化物的纯化方法专利,实现金属氧化物的有效纯化金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物的纯化方法“,公开号CN117771744A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本发明提供金属氧化物的纯化方法,涉及量子点领域。本发明提供金属氧化物的纯化方法,包括:提供待纯...
国瓷材料申请金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液专利,体系稳定性高,...本发明提供的金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液,硅烷偶联剂与金属氧化物表面的羟基进行化学键合,键合后的基团不易掉落。体系中引入偶联媒提高硅烷偶联剂与金属氧化物粒子的化学接枝效率,进而提高金属氧化物粒子的亲脂性。本发明提供的金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液静...
京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“,公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管,该金属氧化物薄膜晶体管包括:设置在衬...
⊙▽⊙ TCL科技申请金属氧化物的制备方法专利,有效提升发光器件的光电性能...金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置“,公开号CN117466253A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置,所述金属氧化物...
i7加速器部分文章、数据、图片来自互联网,一切版权均归源网站或源作者所有。
如果侵犯了你的权益请来信告知删除。邮箱:xxxxxxx@qq.com
上一篇:什么金属不易氧化
下一篇:什么金属不易高温氧化