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igbt芯片规格_igbt芯片规格

时间:2025-01-16 07:00 阅读数:6051人阅读

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...IGBT或MOSFET版图结构专利,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接,相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小,沟道密度增加,从而电流密度大大提高,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小,从而成本降低,同时整个设计的余量也会更加充分。本文源自金...

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∩△∩ 国星光电取得IGBT模块封装结构及其制作方法专利,将第一芯片和第二...第二芯片的另一个顶部电极与线路层上的第三连接端子电连接;外壳上设置有三个引线端子,三个引线端子分别与三个连接端子电连接。将第一芯片和第二芯片设置在凹槽内,减小了IGBT模块封装结构的尺寸;通过在第一金属层上设置线路层,实现了芯片之间的低功耗和高速通讯,提高了IGB...

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齐飞半导体取得IGBT芯片结构专利,避免芯片本体发生弯折损坏本实用新型公开了一种IGBT芯片结构,包括芯片本体,所述芯片本体镶嵌固定芯片加强结构的内部;芯片加强结构包括外衬套,且外衬套的内部开设容纳槽,同时容纳槽与芯片本体的尺寸相适配,并且芯片本体卡装在容纳槽的内部,容纳槽的底部固定设置加强片,外衬套和加强片组合在一起构成...

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华虹公司:MCU、电源管理IC、功率器件等技术广泛应用于光伏等新...功率器件等行业领先的芯片制造工艺。在功率器件工艺平台方面,公司通过不断优化迭代自研 IGBT 技术,使得公司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势,已被国内以及海外行业主流客户广泛应用于相关新能源发电、储能等领域。公司看好相关方向的市场前景。本文源自金融界...

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台基股份:2024年持续推进产品结构优化,完成1200V系列规格、1700V...提升 IGBT 资源支撑,完成 1200V 系列规格、1700V 部分规格产品研发,形成量产能力;在加热和冶炼行业,加大 IGBT 在重点客户的应用力度。同时,公司具有垂直整合(IDM)一体化经营模式(晶圆+芯片+封装+测试)优势,拥有完整的产品开发到销售的运作流程,细分领域内存在技术质量、产能...

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