什么是内存储器_什么是内痔

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江波龙获得外观设计专利授权:“数据存储器”证券之星消息,根据企查查数据显示江波龙(301308)新获得一项外观设计专利授权,专利名为“数据存储器”,专利申请号为CN202330397405.3,授权日为2024年2月6日。专利摘要:1.本外观设计产品的名称:数据存储器。2.本外观设计产品的用途:用于存取数据资料。3.本外观设计产品的设...

什么是内存储器中的一部分

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ˋ▽ˊ 亚翔集成(603929.SH)中标7.28亿元12英寸存储器晶圆制造基地二期...智通财经APP讯,亚翔集成(603929)(603929.SH)发布公告,公司于近日收到信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司发来的中标通知书(项目编号:GN2023-06-8412),确认公司成为12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包的承包单位,中标金额7.28亿元。该项目的顺...

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什么是内存储器和外存储器

亚翔集成:中标12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包南方财经2月5日电,亚翔集成公告,于近日收到信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司发来的中标通知书,确认亚翔集成成为12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包的承包单位,中标金额7.28亿元。

内存和存储有什么区别

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亚翔集成:中标12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包,中标...金融界2月5日消息,亚翔集成公告称,公司近日收到信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司发来的中标通知书,确认亚翔集成成为12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包的承包单位。项目的业主为长鑫新桥存储技术有限公司,项目地址位于安徽省合肥市空港经济...

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亚翔集成:中标7.28亿元存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包亚翔集成公告,公司于近日收到信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司发来的中标通知书,确认亚翔集成成为12英寸存储器晶圆制造基地二期项目无尘室系统包的承包单位。中标金额7.28亿元。本文源自金融界AI电报

力积电将与日企合作量产MRAM存储器据科创板日报, 晶圆代工厂力积电计划量产磁性随机存储器(MRAM),其将在2024年上半年与日本东北大学创办的研究半导体技术的企业Power Spin进行合作。力积电将接受Power Spin提供的技术,推进研究和试制,力争2029年开始量产。MRAM未来有望在面向生成AI的数据中心使用。本...

三星取得存储器电力控制专利,可优化存储器功耗降低电力消耗金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“使用握手过程来控制存储器电力的系统芯片及其操作方法“,授权公告号CN108334184B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示,一种通过握手来控制存储器电力的系统芯片(SoC)及其操作方法。所述系...

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三星取得半导体存储器件及其制造的方法专利,提高半导体存储器件的...金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造的方法“,授权公告号CN109378315B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,一种半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。单元阵列区域包括电极结构和垂直结构,该...

＋▽＋ 三星取得半导体存储器件专利,该专利技术能实现垂直地延伸穿过堆叠...金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利,授权公告号CN109841630B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,一种半导体存储器件包括堆叠结构,该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括...

三星取得三维半导体存储器件及其操作方法专利,提供一种三维半导体...金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件及其操作方法“,授权公告号CN108461499B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示,本发明提供一种三维(3D)半导体存储器件及其操作方法,该3D半导体存储器件包括:电极结构,包括...